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The Cypress Semiconductor FM24C04B is a 4-Kbit non-volatile memory employing an advanced ferroelectric process. A ferroelectric random access memory or F-RAM is non-volatile and performs reads and writes similar to a RAM. It provides reliable data retention for 151 years while eliminating the complexities, overhead, and system-level reliability problems caused by EEPROM and other non-volatile memories. 4-Kbit ferroelectric random access memory (F-RAM) logically organized as 512 x 8 High-endurance 100 trillion (1014) read/writes 151-year data retention NoDelay writes Advanced high-reliability ferroelectric process
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EAN:
2050009802578
SKU:
FM24C04B-GTR
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