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The Infineon CoolSiC Schottky diode generation 5 1200 V, 10 A in a TO-247-3 package, presents a leading edge technology for SiC Schottky Barrier diodes. The thin wafer technology, already introduced with G2, is now combined with a new merged pn junction improving diode surge current capabilities. The result is a series of products delivering market leading efficiency and more system reliability at an attractive cost point. Best-in-class forward voltage (VF) No reverse recovery charge Mild positive temperature dependency of VF Best-in-class surge current capability Excellent thermal performance
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EAN:
2050009799359
SKU:
IDW10G120C5BFKSA1
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